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광전자 방출 시 하전현상, 데이터에 미치는 영향, 전하 보상 방법 1. 광전자 방출 시 하전현상 XPS 분석에서 X선 소스에서 발생한 광자가 샘플 표면에 닿으면 광전자가 방출됩니다. 그림1에서 보는 것처럼 표면이 전기적으로 절연되어 있으면 광전자 방출로 인해 표면에 양전하가 축적됩니다. 이를 전자가 부족한 현상 하전현상(charging effect)라고 부릅니다. 단색이 아닌 소스(Non monochromated X-ray source)가 XPS 분석에 사용되는 경우 일반적으로 시료 영역에 전하의 영향을 제한하기에 충분한 수의 전자가 있게 됩니다. 2. 데이터에 미치는 영향 그러나 XPS 측정을 위해 단색 X선 소스(Monochromated X-ray source)를 사용하는 경우 전하를 보충하기에는 너무 적은 수의 표유 전자가 있고 그 결과 양전하가 XPS 스펙트럼에..
각분해 광전자 분광법 데이터 유형, 분석 유형 1. 각분해 광전자 분광법 데이터 유형 ARXPS(Angle resolved XPS, 각분해 광전자 분광법) : 3가지 유형의 비파괴 깊이 정보를 제공 1) Relative depth plots (RDP) : 로그 비율 사용 원소별 깊이 분포 정보를 알수 있습니다. 2) 단일 및 다층 필름 두께 측정 가능 Beer-Lambert 방정식사용 I = I∞exp(-d/λcosθ) 3) Reconstructed depth profiles(재구성된 깊이 프로파일) : 최대 엔트로피 방법 사용 2. 각분해 광전자 분광법 분석 유형 1) Sample tilting(일반적인 ARXPS) 2) Parallel angle resolved XPS (PARXPS) : No tilting the sample 고체 내 전자의 유..
엑스레이 소스와 모노크로메이터 기능 1. 엑스레이 소스 정의 및 기능 : 광전자를 발생시키기 위한 X선의 원천 X-ray는 anode에 고에너지 전자를 충돌시킴으로써 생성됩니다. 전자는 일반적으로 전기적으로 가열된 cathode인 텅스텐 필라멘트의 형태로 열원에서 방출되지만 초점 X선 단색계(focusing X-ray monochromators)에서는 더 높은 전류 밀도(밝기) 때문에 란타넘 헥사보라이드(LaB6) 방출기가 사용됩니다. Anode로부터 방출되는 X선의 효율은 X선 광자에너지(photon energy)에 대한 전자 에너지(electron energy)에 의해 결정됩니다. 예를 들어, 전자에너지가 4 keV에서 10 keV로 증가하면 알루미늄 anode의 AlKa(1486.6 eV) 광자 플럭스(photon flux)가 5배 ..
표면분석 기술 정의, 표면 분석 기법 예시 1. 표면 분석 기술 정의 표면 연구 및 분석에는 물리적 및 화학적 분석 기술이 모두 포함됩니다. 현대의 표면분석 방법은 진공속에 있는 시료 표면의 최상부 1~10nm를 분석합니다. 분석기법으로는 X선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS), Auger 전자 분광법(Auger electron spectroscopy, AES), 저에너지 전자 회절법(Low-energy electron diffraction), 전자 에너지 손실 분광법(Eletron energy loss spectroscopy), 열 탈착 분광법(Thermal desorption spectroscopy, TDP), 이온 산란 분광법(Ion scattering spectroscopy, ISP), 2..